蘇州納維科技有限公司成立于2007年5月，公司以中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所為技術依托，專注于從事GaN襯底晶片及相關設備的研發和產業化，提供各類GaN材料，目前公司擁有核心技術專利近三十項，是中國成員之一GaN襯底晶片供應商。
目前公司針對企業、高校和研究所的不同用戶，主要提供如下產品：一、10～30微米厚度的2英寸GaN厚膜襯底，位錯密度為107/cm2量級，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型；二、2英寸GaN自支撐襯底，厚度0.35mm，Ga面位錯腐蝕坑密度為105/cm2量級，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型；三、小尺寸GaN襯底，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型，單面或者雙面拋光；四、小尺寸非極性面GaN襯底，a面或者m面；五、高結晶度GaN粉體材料；六、AlN襯底。
 蘇州納維將立足于材料生長技術和設備的持續創新，在氮化物半導體材料及應用領域成長為一家具有原創知識產權和核心競爭力的國際化高科技公司，為氮化物半導體產業的發展貢獻力量。